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在先进封装检测中,主要任务是发现焊点缺陷、引线键合异常以及层间错位等问题。由于封装结构精细复杂,相机需要提供高分辨率和高对比度成像,以清晰分辨微小细节。同时,产线节拍要求极高,只有具备高速采集与稳定数据吞吐的相机,才能避免成为检测环节的瓶颈。
高速 TDI-sCMOS 相机
光谱范围:180 nm-1100 nm
QE:94.2%
像元:5 μm x 5 μm
分辨率:16416(H)x 256(V)
分辨率:8208(H)x 256(V)
光谱范围:180 nm - 1100 nm
QE:82%
分辨率:9072(H)x 256(V)
像元: 5 μm x 5 μm
高速高分辨率 sCMOS 相机
光谱范围:300 nm - 1100 nm
QE:63%
像元:4.5 μm x 4.5 μm
分辨率:5120(H)x 4096(V)
GigE 全局快门紫外CMOS相机
光谱范围:200 nm -1000 nm
QE:56%
像元:2.74 μm
分辨率:2856(H)x 2848(V)
高通量大靶面 sCMOS 相机
QE:83%
像元:5.5 μm x 5.5 μm
分辨率:4608(H) x 3072(V)
GigE 全局快门黑白CMOS相机
光谱范围:300 nm -1100 nm
QE:72%
像元:2.74 µm x 2.74 µm
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