FL 9BW
长曝光制冷CMOS相机
FL 9BW 系列是鑫图针对长曝光应用开发的深度制冷 CMOS 相机。它采用索尼背照式 CMOS 技术和鑫图先进制冷工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷 CCD 的水平，还同时具有现代 CMOS 高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以完全替代制冷 CCD 长曝光应用。
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15.96 mm 对角线
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3000（H） × 3000（V） 分辨率
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3.76 μm × 3.76 μm 像元
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< 0.0005 e-/p/s 暗电流
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- 25℃ 深度制冷
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产品参数
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产品优势
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相关产品
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典型应用
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产品参数
品名 |
FL 9BW |
型号 |
FL 9BW（另有LT版本，详见规格书） |
传感器类型 |
SONY BSI CMOS |
彩色 / 黑白 |
黑白 |
快门类型 |
卷帘 |
光谱范围 |
400 nm-1000 nm |
量子效率 |
92% |
像素尺寸 |
3.76 μm x 3.76 μm |
分辨率 |
3000（H） × 3000（V） |
对角线尺寸 |
15.96 mm |
读出噪声 |
0.7 e- |
最大帧率/行频 |
19 fps |
暗电流 |
< 0.0005 e-/p/s |
动态范围 |
/ |
满阱容量 |
48 Ke- |
制冷方式 |
风冷 |
制冷温度 |
-25℃ |
数据接口 |
USB 3.0 |
* 参数如有更新，以官方技术规格书或销售书面答复为准
产品优势
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<0.0005 e-/p/s暗电流：可替代冷CCD长曝光应用
FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
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背景均一：定量分析更精准
FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
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SONY 背照式科学级芯片：综合成像性能优越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。
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