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FL 26BW

长曝光制冷CMOS相机

FL 26BW 是鑫图针对长曝光应用开发的深度制冷 CMOS 相机。它采用索尼背照式 CMOS 和鑫图先进制冷工艺、图像降噪技术联合打造,在长曝光关键性能上达到深度制冷 CCD 水平,加上 CMOS 固有的高速、高动态特征,在如化学发光成像等长时间曝光应用上,是冷 CCD 的理想替代。

  • 28.3 mm 对角线

  • 6240(H)x 4168(V) 分辨率

  • 3.76 μm × 3.76 μm像元

  • < 0.0005 e-/p/s 暗电流

  • - 25℃ 深度制冷

  • FL 26BW.png
  • FL 26BW.png

产品参数

品名

FL 26BW

型号

FL 26BW

传感器类型

SONY BSI CMOS

彩色 / 黑白

黑白

快门类型

卷帘

光谱范围

400 nm-1000 nm

量子效率

92%

像素尺寸

3.76 μm x 3.76 μm

分辨率

6240(H)x 4168(V)

对角线尺寸

28.3 mm

读出噪声

0.85 e-

最大帧率/行频

35.5 fps

暗电流

< 0.0005 e-/p/s

动态范围

/

满阱容量

49 Ke-

制冷方式

风冷

制冷温度

- 25℃@室温(22 ℃)

数据接口

USB 3.0

* 参数如有更新,以官方技术规格书或销售书面答复为准

产品优势

  • FL-26BW-官网-长曝光信噪比对比图-040307-ENCN_画板-1.png

    <0.0005 e-/p/s暗电流:可替代冷CCD长曝光应用

    FL 26BW 暗电流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷温度可锁定到零下25℃。即使在长达30分钟曝光时,成像性能(信噪比)仍优于典型深度制冷CCD(ICX695)。

  • 背景均一 定量分析更精准

    背景均一 定量分析更精准

    FL 26BW 集成了索尼最新背照式芯片优异的辉光抑制能力,和鑫图先进图像降噪处理技术,基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良因素,成像背景均一,更适合定量分析应用。

  • SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越

    SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越

    FL 26BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS探测器,长曝光性能和CCD相当,峰值量子效率高达92%,读出噪声仅0.9 e-,弱光成像能力超越CCD,动态范围更是传统CCD的4倍以上。

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