26/08/21当半导体制造迈入后摩尔时代，检测需求正在快速升级。从传统晶圆表面缺陷检测，到先进封装、多层堆叠结构解析，客户面临的挑战已经不再只是“看得见”，而是要同时解决检测区域更大、结构更精细、数据量更庞大、节拍要求更高等多重问题。尤其在 Chiplet、CoWoS、FOPLP、RDL、混合键合、TSV 等新型工艺持续演进的背景下，检测系统正在面临一个越来越突出的矛盾：
- 视场不足：拍摄频次多，影响检测效率
- 分辨率不足：微结构难以稳定解析，影响检测精度
- 吞吐能力不够强：整机效能与后端 AI 处理能力难以充分释放。
鑫图100G超高通量面阵相机 Libra 27105 即将登场
正是在这样的产业趋势下，鑫图 100G 超高通量面阵相机 Libra 27105 即将登场。
它围绕半导体检测对大视场、高精度、高效率的综合需求而设计，为先进制造场景提供更具竞争力的面阵快照成像方案。
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2.5英寸超大靶面，效率提升3倍
随着 Chiplet、CoWoS、FOPLP 等先进封装向大尺寸发展，检测区域持续扩大。传统面阵相机视场覆盖不足，需要多次拍摄拼接，导致检测节拍下降并增加拼接误差，成为大尺寸封装AOI效率提升的关键限制。
Libra 27105采用28.08mm × 28.08mm超大感光区域，相比传统21MP（GSPRINT 4521）级大靶面工业相机，有效成像面积提升约3倍，对比65MP （GMAX 3265 ）机型提升约 35%；单次拍摄覆盖更广，检测效率显著提升。
112fps@105MP，实现10亿级像素/秒高通量采集
随着半导体检测向自动化、智能化发展，缺陷分类、自动复判和精密量测需要更大规模、更高质量的图像数据输入，对相机的数据吞吐能力提出更高要求。
Libra 27105搭载100G CoF高速接口，在1.05亿像素全分辨率下，帧率高达112fps，数据吞吐量达到11,760 MP/s。相较典型65MP或21MP级工业相机，数据吞吐能力提升约2.5倍，为AI检测、缺陷复检及精密量测提供更高效的数据采集能力。
2.74 μm高密度像元，提升精细结构和微缺陷解析力
随着先进封装中微米级线路、凸点和互连结构不断增加，检测系统不仅需要覆盖更大区域，也需要保持足够的空间采样能力。
Libra 27105采用2.74 μm小像元设计，在2.5英寸级超大靶面下实现105MP高分辨率成像，在兼顾大视场与高通量的同时，为精细结构和微小缺陷解析提供更高的空间采样能力。
典型应用场景
| 前道制程 | 后道制程 |
| 晶圆几何形貌分析 | CoWoS大尺寸封装AOI |
| 薄膜与光刻图形 | RDL精细线路检测 |
| 晶圆表面缺陷检测 | 混合键合及TSV检测 |
| 晶圆微观缺陷复检 | 微凸点缺陷检测 |
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