FL 9BW
长曝光制冷CMOS相机
- 15.96 mm (1")
- 3000 (H) × 3000 (V)
- 3.76 μm x 3.76 μm
- < 0.0005 e-/p/s
- -25℃ @ 22℃
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产品介绍
FL 9BW 是鑫图针对长曝光应用开发的新一代深度制冷CMOS相机。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技术和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷CCD的水平，还同时具有现代CMOS高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以完全替代制冷CCD长曝光应用。
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<0.0005 e-/p/s暗电流可替代冷CCD长曝光应用
FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
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背景均一定量分析更精准
FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
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SONY 背照式科学级芯片综合成像性能优越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。
技术参数 >
- 型号: FL 9BW
- 芯片类型: BSI CMOS
- 芯片型号: SONY IMX533CLK-D
- 彩色 / 黑白: 黑白
- 对角线尺寸: 15.96 mm (1")
- 有效面积: 11.28 mm × 11.28 mm
- 像素大小: 3.76 μm × 3.76 μm
- 分辨率: 3000 x 3000, 9 MP
- 峰值量子效率: 92 % @ 540 nm
- 暗电流: < 0.0005 e-/p/s
- 增益模式: Gain 0；Gain 1；Gain 2；Gain 3；
- 满阱容量: 47 ke- @ Gain 0；16 ke- @ Gain 1；7.8 ke- @ Gain 2；3 ke- @ Gain 3；
- 读出噪声: 2.5 e- @ Gain 0，1.0 e- @ Gain 1，0.85 e- @ Gain 2；0.75 e- @ Gain 3；
- 帧率: 19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
- 快门类型: 卷帘
- 曝光时间: 15 μs ~ 60 min
- 图像校正: DDFC，DPC
- ROI: 支持
- Binning: 2 x 2，3 x 3，4 x 4，6 x 6，8 x 8
- 制冷方式: 风冷
- 制冷温度: -25 ℃ @ 室温（22℃）
- 触发模式: 硬件，软件
- 触发输出: 曝光开始，全局，读出结束，高电平，低电平
- 触发接口: Horise
- SDK: C，C++，C#
- 数据接口: USB 3.0
- 光学接口: C-Mount，支持定制
- 位深: 14 bit @ bin1；FPGA bining 自动扩展到 16 bit
- 电源: 12 V / 6 A
- 功耗: ≤ 40 W
- 相机尺寸: 76 mm x 76 mm x 98.5 mm
- 重量: 835 g
- 操作系统: Windows / Linux
- 操作环境: 工作：温度 0~40 °C, 湿度 10~85 % 储存：温度 -10~60 ℃, 湿度 0~85 %
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应用方向 >
资源下载 >
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FL 9BW 技术规格书
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FL 9BW 结构图纸
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软件 - SamplePro
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驱动 - TUCam Camera Driver 通用版
